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ag官方网站:当第一代和第二代半导体材料达到其物理极限时

时间:2021/4/15 11:02:40   作者:   来源:   阅读:14   评论:0
内容摘要:当第一代和第二代半导体材料达到其物理极限时,有望突破传统半导体技术瓶颈的第三代半导体材料将成为工业发展的宠儿。的确,家用半导体材料之所以被划分为“几代”,一定程度上是由于伴随着半导体材料的大规模应用的三次工业革命。以硅(Si)为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管,并推动了以集成电路为重点的微电子工业的快速发展。第...
当第一代和第二代半导体材料达到其物理极限时,有望突破传统半导体技术瓶颈的第三代半导体材料将成为工业发展的宠儿。

的确,家用半导体材料之所以被划分为“几代”,一定程度上是由于伴随着半导体材料的大规模应用的三次工业革命。

以硅(Si)为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管,并推动了以集成电路为重点的微电子工业的快速发展。

第二代半导体材料主要是砷化镓(GaAs),锑化铟(InSb)等。磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键组件,高速砷化镓器件为光纤和光纤打开了新的产业。移动通信。

以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料有效地促进了半导体照明,显示器,电动汽车和其他产业的发展。

从半导体材料的三个重要参数的观点来看,第三代半导体材料表现出电子迁移率(在低压条件下的高频工作性能),饱和漂移率(在高压条件下的高频工作性能)。在三个指标上,带隙(器件介电强度,最高工作温度和光学性能)均优于硅器件。

其中,最引人注目的是第三代半导体的“宽带隙(WBG)”。高带隙的优点是该设备耐高压和高温,并且具有高性能,抗辐射性,强电导率,快速的工作速度和很少的工作损失。

然而,参数的优越性并不意味着一代半导体材料优于一代半导体材料。实际上,第一代,第二代和第三代半导体材料各自具有其自己合适的应用领域。在未来的很长一段时间内,这些第三代半导体材料将共存。

尽管硅材料没有这么大的参数,但是目前没有半导体材料可以在可靠性和整体性能方面与之抗衡。作为半导体行业中的“终极半导体”,钻石甚至还没有走出实验室。


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